半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱

質量優勢：主要核心配件均采用國際大品牌的配件如法國泰康或德國比澤爾壓縮機，控制器有韓國三元、日本OYO、臺灣臺通三大品牌供客戶選擇，繼電器有日本路宮、和泉、三菱、施耐德，美國杜邦環保冷媒，丹麥(DANFOSS)、瑞典（AlfaLaval）等配件，假一罰十，能確保冷熱沖擊試驗箱長期正常高效的運行。

半導體器件（semiconductor device）通常，這些半導體材料是硅、鍺或砷化鎵，可用作整流器、振蕩器、發光器、放大器、測光器等器材。為了與集成電路相區別，有時也稱為分立器件。絕大部分二端器件（即晶體二極管）的基本結構是一個PN結。利用不同的半導體材料、采用不同的工藝和幾何結構，已研制出種類繁多、功能用途各異的多種晶體二極，可用來產生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉換。晶體二極管的頻率覆蓋范圍可從低頻、高頻、微波、毫米波、紅外直至光波。三端器件一 般是有源器件，典型代表是各種晶體管（又稱晶體三極管）。

半導體電子器件冷熱沖擊試驗箱技術參數表：

冷熱沖擊試驗箱型號：LQ-TS-80A；LQ-TS-80B；LQ-TS-80C；LQ-TS-150A；LQ-TS-150B；LQ-TS-150C LQ-TS-250A；LQ-TS-250B；LQ-TS-250C；LQ-TS-1000A；LQ-TS-1000B；LQ-TS-1000C

標稱內容積（升）：80；150；250；300

試驗方式：氣動風門切換2溫室或3溫室方式

性能

高溫室預熱溫度范圍：＋60～＋200℃

升溫速率：＋60→＋200℃≤30分鐘

低溫室預冷溫度范圍：－75－0℃

降溫速率：＋20→－75℃≤30分鐘

試驗室溫度偏差：±2℃

溫度范圍TSL:（+60→+150）℃→（-40－-10）℃;

TSU:（+60～+150）℃～（-55～-10）℃;

TSS:（+60～+150）℃～（-65～-10）℃

溫度恢復時間※2 5分鐘以內

試樣擱架承載能力：30kg

試樣重量7.5kg；7.5kg；10kg；10kg

內部尺寸（mm）：W 500 600 700 1000

H 400 500 600 1000

D 400 500 600 1000

溫度上升和溫度下降均為各恒溫試驗箱單獨運轉時的性能。